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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › 1N5802US
1N5802US

1N5802US - Microsemi Corporation

品番
1N5802US
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
1N5802US PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
452 pcs
参考価格
USD 12.55/pcs
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1N5802US 詳細な説明

品番 1N5802US
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 50V
電流 - 平均整流（Io） 1A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 875mV @ 1A
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） 25ns
電流 - 逆リーク（Vr） 1µA @ 50V
容量Vr、F 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SQ-MELF, A
サプライヤデバイスパッケージ D-5A
動作温度 - ジャンクション -65°C ~ 175°C
重量 -
原産国 -

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