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ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › MT47H512M4THN-3:E TR
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR - Micron Technology Inc.

品番
MT47H512M4THN-3:E TR
メーカー
Micron Technology Inc.
簡単な説明
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
MT47H512M4THN-3:E TR.pdf
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3670 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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MT47H512M4THN-3:E TR 詳細な説明

品番 MT47H512M4THN-3:E TR
部品ステータス Obsolete
メモリの種類 Volatile
メモリフォーマット DRAM
技術 SDRAM - DDR2
メモリー容量 2Gb (512M x 4)
クロック周波数 333MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 15ns
アクセス時間 450ps
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 1.7 V ~ 1.9 V
動作温度 0°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 63-FBGA
サプライヤデバイスパッケージ 63-FBGA (9x11.5)
重量 -
原産国 -

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