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Accueil › catégories de produits › Circuits intégrés (CI) › Mémoire › MT47H512M4THN-3:E TR
MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR - Micron Technology Inc.

Numéro d'article
MT47H512M4THN-3:E TR
Fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
MT47H512M4THN-3:E TR.pdf
Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4457 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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MT47H512M4THN-3:E TR Description détaillée

Numéro d'article MT47H512M4THN-3:E TR
État de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR2
Taille mémoire 2Gb (512M x 4)
Fréquence d'horloge 333MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 450ps
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7 V ~ 1.9 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 63-FBGA
Package de périphérique fournisseur 63-FBGA (9x11.5)
Poids -
Pays d'origine -

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