MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT47H512M4THN-3:E TR
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4199 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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MT47H512M4THN-3:E TR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT47H512M4THN-3:E TR
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 2Gb (512M x 4)
Taktfrequenz 333MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 450ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.9 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 63-FBGA
Lieferantengerätepaket 63-FBGA (9x11.5)
Gewicht -
Ursprungsland -

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