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MT47H512M4EB-187E:C

MT47H512M4EB-187E:C - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT47H512M4EB-187E:C
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT47H512M4EB-187E:C PDF-Online-Browsing
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-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4157 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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MT47H512M4EB-187E:C detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT47H512M4EB-187E:C
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 2Gb (512M x 4)
Taktfrequenz 533MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 350ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.9 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 60-TFBGA
Lieferantengerätepaket 60-FBGA (9x11.5)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
MT47H512M4EB-187E:C MT47H512M4EB-187E:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA Einzelheiten
MT47H512M4EB-25E:C MT47H512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA Einzelheiten
MT47H512M4EB-25E:C TR MT47H512M4EB-25E:C TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA Einzelheiten
MT47H512M4EB-3:C MT47H512M4EB-3:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA Einzelheiten
MT47H512M4THN-25E:H MT47H512M4THN-25E:H Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA Einzelheiten
MT47H512M4THN-25E:M MT47H512M4THN-25E:M Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ Einzelheiten
MT47H512M4THN-25E:M TR MT47H512M4THN-25E:M TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA Einzelheiten
MT47H512M4THN-37E:E TR MT47H512M4THN-37E:E TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA Einzelheiten
MT47H512M4THN-3:E TR MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA Einzelheiten
MT47H512M4THN-3:H MT47H512M4THN-3:H Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA Einzelheiten