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MT47H512M4THN-25E:M

MT47H512M4THN-25E:M - Micron Technology Inc.

Artikelnummer
MT47H512M4THN-25E:M
Hersteller
Micron Technology Inc.
Kurze Beschreibung
IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
MT47H512M4THN-25E:M PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Speicher
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30837 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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MT47H512M4THN-25E:M detaillierte Beschreibung

Artikelnummer MT47H512M4THN-25E:M
Teilstatus Obsolete
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 2Gb (512M x 4)
Taktfrequenz 400MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 400ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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