MT47H512M4THN-25E:M - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT47H512M4THN-25E:M
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 30837 pcs
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Número de pieza	MT47H512M4THN-25E:M
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria	2Gb (512M x 4)
Frecuencia de reloj	400MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	15ns
Tiempo de acceso	400ps
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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MT47H512M4THN-25E:M	Micron Technology Inc.	IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ	Detalles
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