| Número de pieza | MT47H512M4THN-25E:M |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Formato de memoria | DRAM |
| Tecnología | SDRAM - DDR2 |
| Tamaño de la memoria | 2Gb (512M x 4) |
| Frecuencia de reloj | 400MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 15ns |
| Tiempo de acceso | 400ps |
| interfaz de memoria | Parallel |
| Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo de montaje | - |
| Paquete / caja | - |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA | Detalles |
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MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | Detalles |
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MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | Detalles |
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MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA | Detalles |
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MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | Detalles |
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MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ | Detalles |
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MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | Detalles |
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MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA | Detalles |
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MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | Detalles |
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MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | Detalles |
