MT47H512M4EB-187E:C - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT47H512M4EB-187E:C
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 3951 pcs
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Número de pieza	MT47H512M4EB-187E:C
Estado de la pieza	Discontinued at Digi-Key
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR2
Tamaño de la memoria	2Gb (512M x 4)
Frecuencia de reloj	533MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	15ns
Tiempo de acceso	350ps
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.7 V ~ 1.9 V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	60-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor	60-FBGA (9x11.5)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT47H512M4EB-187E:C	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA	Detalles
MT47H512M4EB-25E:C	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA	Detalles
MT47H512M4EB-25E:C TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA	Detalles
MT47H512M4EB-3:C	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA	Detalles
MT47H512M4THN-25E:H	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA	Detalles
MT47H512M4THN-25E:M	Micron Technology Inc.	IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ	Detalles
MT47H512M4THN-25E:M TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA	Detalles
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MT47H512M4THN-3:E TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA	Detalles
MT47H512M4THN-3:H	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA	Detalles