• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › MT47H512M4THN-25E:M TR
MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR - Micron Technology Inc.

品番
MT47H512M4THN-25E:M TR
メーカー
Micron Technology Inc.
簡単な説明
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MT47H512M4THN-25E:M TR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1380 pcs
参考価格
USD 19.3641/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください MT47H512M4THN-25E:M TR

MT47H512M4THN-25E:M TR 詳細な説明

品番 MT47H512M4THN-25E:M TR
部品ステータス Active
メモリの種類 Volatile
メモリフォーマット DRAM
技術 SDRAM - DDR2
メモリー容量 2Gb (512M x 4)
クロック周波数 400MHz
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 15ns
アクセス時間 400ps
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 1.7 V ~ 1.9 V
動作温度 0°C ~ 85°C (TC)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 63-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 63-FBGA (8x10)
重量 -
原産国 -

関連製品 MT47H512M4THN-25E:M TR

画像 品番 メーカー 説明 見る
MT47H512M4EB-187E:C MT47H512M4EB-187E:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA 詳細
MT47H512M4EB-25E:C MT47H512M4EB-25E:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA 詳細
MT47H512M4EB-25E:C TR MT47H512M4EB-25E:C TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA 詳細
MT47H512M4EB-3:C MT47H512M4EB-3:C Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA 詳細
MT47H512M4THN-25E:H MT47H512M4THN-25E:H Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA 詳細
MT47H512M4THN-25E:M MT47H512M4THN-25E:M Micron Technology Inc. IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ 詳細
MT47H512M4THN-25E:M TR MT47H512M4THN-25E:M TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA 詳細
MT47H512M4THN-37E:E TR MT47H512M4THN-37E:E TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA 詳細
MT47H512M4THN-3:E TR MT47H512M4THN-3:E TR Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA 詳細
MT47H512M4THN-3:H MT47H512M4THN-3:H Micron Technology Inc. IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA 詳細