| 品番 | MT47H512M4EB-3:C |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | DRAM |
| 技術 | SDRAM - DDR2 |
| メモリー容量 | 2Gb (512M x 4) |
| クロック周波数 | 333MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 15ns |
| アクセス時間 | 450ps |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 60-TFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 60-FBGA (9x11.5) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ | 詳細 |
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MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | 詳細 |
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MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | 詳細 |
