• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFN70N120SK
IXFN70N120SK

IXFN70N120SK - IXYS

品番
IXFN70N120SK
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFN70N120SK PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1605 pcs
参考価格
USD 102.555/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IXFN70N120SK

IXFN70N120SK 詳細な説明

品番 IXFN70N120SK
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 15mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 161nC @ 20V
Vgs（最大） +20V, -5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2790pF @ 1000V
FET機能 -
消費電力（最大） -
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
重量 -
原産国 -

関連製品 IXFN70N120SK

画像 品番 メーカー 説明 見る
IXFN100N10S1 IXFN100N10S1 IXYS MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N10S2 IXFN100N10S2 IXYS MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N10S3 IXFN100N10S3 IXYS MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N20 IXFN100N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N25 IXFN100N25 IXYS MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B 詳細
IXFN100N50P IXFN100N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B 詳細
IXFN100N50Q3 IXFN100N50Q3 IXYS MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227 詳細
IXFN100N65X2 IXFN100N65X2 IXYS MOSFET N-CH 詳細
IXFN102N30P IXFN102N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B 詳細
IXFN106N20 IXFN106N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B 詳細