| Artikelnummer | IXFN70N120SK |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 68A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 15mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2790pF @ 1000V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227B |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IXFN100N10S1 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | Einzelheiten |
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IXFN100N10S2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B | Einzelheiten |
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