IXFN70N120SK - IXYS

Artikelnummer	IXFN70N120SK
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 15mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	161nC @ 20V
Vgs (Max)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2790pF @ 1000V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-227B
Paket / Fall	SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFN100N10S1	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N10S2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N10S3	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	Einzelheiten
IXFN100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227	Einzelheiten
IXFN100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFN102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B	Einzelheiten
IXFN106N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B	Einzelheiten