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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFN210N30X3
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3 - IXYS

品番
IXFN210N30X3
メーカー
IXYS
簡単な説明
FET N-CHANNEL
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFN210N30X3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4777 pcs
参考価格
USD 34.46/pcs
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IXFN210N30X3 詳細な説明

品番 IXFN210N30X3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 300V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4.6 mOhm @ 105A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 8mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 375nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 24200pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 695W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
重量 -
原産国 -

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