IXFN210N30X3 - IXYS

Numero di parte	IXFN210N30X3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	375nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	24200pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	695W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227B
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFN100N10S1	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N10S2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N10S3	IXYS	MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B	Dettagli
IXFN100N50Q3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227	Dettagli
IXFN100N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXFN102N30P	IXYS	MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B	Dettagli
IXFN106N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B	Dettagli