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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPD60R1K4C6
IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6 - Infineon Technologies

品番
IPD60R1K4C6
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPD60R1K4C6 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPD60R1K4C6.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3774 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IPD60R1K4C6 詳細な説明

品番 IPD60R1K4C6
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.2A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 90µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 9.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 200pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 28.4W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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