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IPD600N25N3GBTMA1

IPD600N25N3GBTMA1 - Infineon Technologies

品番: IPD600N25N3GBTMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IPD600N25N3GBTMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: IPD600N25N3GBTMA1.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3985 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IPD600N25N3GBTMA1 詳細な説明

品番	IPD600N25N3GBTMA1
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	250V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	25A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 90µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	29nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2350pF @ 100V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	136W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	60 mOhm @ 25A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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