IPD60R1K4C6 Descripción detallada
| Número de pieza |
IPD60R1K4C6 |
| Estado de la pieza |
Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de FET |
N-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
3.2A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 90µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
9.4nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
200pF @ 100V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
28.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
PG-TO252-3 |
| Paquete / caja |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IPD60R1K4C6
