IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPD60R170CFD7ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IPD60R170CFD7ATMA1 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
107217 pcs
Precio de referencia
USD 1.53564/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPD60R170CFD7ATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 300µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1199pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 76W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA IPD60R170CFD7ATMA1