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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPD60R170CFD7ATMA1
IPD60R170CFD7ATMA1

IPD60R170CFD7ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPD60R170CFD7ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH TO252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPD60R170CFD7ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
107217 pcs
Referenzpreis
USD 1.53564/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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IPD60R170CFD7ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPD60R170CFD7ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1199pF @ 400V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 76W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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