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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPD60R1K0CEATMA1
IPD60R1K0CEATMA1

IPD60R1K0CEATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPD60R1K0CEATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPD60R1K0CEATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPD60R1K0CEATMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
94692 pcs
Referenzpreis
USD 0.268/pcs
Unser Preis
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IPD60R1K0CEATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPD60R1K0CEATMA1
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 37W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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