| номер части | IPD60R1K0CEATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.3A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 280pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 37W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | TO-252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | подробности |
 |
IPD60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
|
IPD60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
|
IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 | подробности |
|
IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | подробности |
|
IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | подробности |
|
IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | подробности |
|
IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | подробности |
|
IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 | подробности |
|
IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 | подробности |
