| Numero di parte | IPD60R1K4C6 |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 28.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A | Dettagli |
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IPD600N25N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 | Dettagli |
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IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Dettagli |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | Dettagli |
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IPD60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | Dettagli |
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IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 | Dettagli |
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IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | Dettagli |
