IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPD60N10S4L12ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
53129 pcs
参考価格
USD 0.4937/pcs
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IPD60N10S4L12ATMA1 詳細な説明

品番 IPD60N10S4L12ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 60A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.1V @ 46µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 49nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3170pF @ 25V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 94W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 12 mOhm @ 60A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-313
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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