品番 | IPD60N10S4L12ATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.1V @ 46µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 49nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3170pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±16V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 94W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 60A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3-313 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
重量 | - |
原産国 | - |