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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPB65R099C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1

IPB65R099C6ATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPB65R099C6ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 38A TO263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPB65R099C6ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7580 pcs
参考価格
USD 3.5289/pcs
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メールで送信：[email protected]

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IPB65R099C6ATMA1 詳細な説明

品番 IPB65R099C6ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 38A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 1.2mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 127nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2780pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 278W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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