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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPB65R065C7ATMA1
IPB65R065C7ATMA1

IPB65R065C7ATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPB65R065C7ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH TO263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPB65R065C7ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPB65R065C7ATMA1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
5356 pcs
参考価格
USD 4.8243/pcs
私達の価格
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IPB65R065C7ATMA1 詳細な説明

品番 IPB65R065C7ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7.3A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 557pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 171W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 600 mOhm @ 2.4A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Snap Clips
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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