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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPB65R045C7ATMA1
IPB65R045C7ATMA1

IPB65R045C7ATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPB65R045C7ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPB65R045C7ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
5000 pcs
参考価格
USD 7.9848/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

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IPB65R045C7ATMA1 詳細な説明

品番 IPB65R045C7ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 46A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 1.25mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 93nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4340pF @ 400V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 227W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 45 mOhm @ 24.9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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