| номер части | IPB65R099C6ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 38A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 127nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2780pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 278W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 12.8A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | подробности |
|
IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | подробности |
|
IPB65R065C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB65R095C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | подробности |
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | подробности |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | подробности |
|
IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | подробности |
