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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPB65R099C6ATMA1
IPB65R099C6ATMA1

IPB65R099C6ATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPB65R099C6ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 38A TO263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPB65R099C6ATMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7594 pcs
Referenzpreis
USD 3.5289/pcs
Unser Preis
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IPB65R099C6ATMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPB65R099C6ATMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 127nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2780pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 278W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 99 mOhm @ 12.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht -
Ursprungsland -

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