| Artikelnummer | IPB65R045C7ATMA2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 46A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 24.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.25mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 400V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 227W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | Einzelheiten |
|
IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | Einzelheiten |
|
IPB65R065C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
|
IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
|
IPB65R095C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
|
IPB65R095C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | Einzelheiten |
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | Einzelheiten |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
|
IPB65R110CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | Einzelheiten |
