IPB65R045C7ATMA2 - Infineon Technologies

Número de pieza: IPB65R045C7ATMA2
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 21525 pcs
Precio de referencia: USD 7.64856/pcs
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Número de pieza	IPB65R045C7ATMA2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	46A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.25mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IPB65R045C7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3	Detalles
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