| Artikelnummer | IPB65R095C7ATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2140pF @ 400V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 128W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 11.8A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IPB65R045C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB65R045C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB65R065C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB65R065C7ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB65R095C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | Einzelheiten |
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