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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPB010N06NATMA1
IPB010N06NATMA1

IPB010N06NATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPB010N06NATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPB010N06NATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
7870 pcs
参考価格
USD 3.3728/pcs
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IPB010N06NATMA1 詳細な説明

品番 IPB010N06NATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 45A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 280µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 208nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 15000pF @ 30V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-7
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量 -
原産国 -

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