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IPB015N04LGATMA1

IPB015N04LGATMA1 - Infineon Technologies

品番: IPB015N04LGATMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IPB015N04LGATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 72705 pcs
参考価格: USD 2.26457/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IPB015N04LGATMA1 詳細な説明

品番	IPB015N04LGATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	346nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	28000pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	250W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
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