| 品番 | IPB011N04LGATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 346nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 29000pF @ 20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-3 |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | 詳細 |
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IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | 詳細 |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | 詳細 |
