IPB011N04LGATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IPB011N04LGATMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	346nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	29000pF @ 20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-7-3
Paquet / cas	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IPB011N04L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	Détails
IPB011N04LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	Détails
IPB011N04NGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	Détails