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IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1 - Infineon Technologies

品番: IPB011N04NGATMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IPB011N04NGATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 17019 pcs
参考価格: USD 1.5695/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IPB011N04NGATMA1 詳細な説明

品番	IPB011N04NGATMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	180A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	250nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	20000pF @ 20V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	250W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.1 mOhm @ 100A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
	IPB011N04L G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	詳細
	IPB011N04LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	詳細
	IPB011N04NGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7	詳細