IPB011N04NGATMA1 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
IPB011N04NGATMA1 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
180A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
250nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
20000pF @ 20V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
250W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
1.1 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket |
PG-TO263-7-3 |
| Paket / Fall |
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR IPB011N04NGATMA1
