| Numéro d'article | IPB010N06NATMA1 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 45A (Ta), 180A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 208nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15000pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 100A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO263-7 |
| Paquet / cas | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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IPB010N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7 | Détails |
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IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Détails |
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IPB011N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Détails |
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IPB011N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | Détails |
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IPB014N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7 | Détails |
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IPB015N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Détails |
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IPB015N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Détails |
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IPB015N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Détails |
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IPB015N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3 | Détails |
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IPB015N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 | Détails |
