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GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1 - Global Power Technologies Group

品番: GSID200A120S3B1
メーカー: Global Power Technologies Group
簡単な説明: SILICON IGBT MODULES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: GSID200A120S3B1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: GSID200A120S3B1.pdf
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - モジュール
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 277 pcs
参考価格: USD 93.425/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

GSID200A120S3B1 詳細な説明

品番	GSID200A120S3B1
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	-
構成	2 Independent
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	400A
電力 - 最大	1595W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大）	1mA
入力容量（Cies）@ Vce	20nF @ 25V
入力	Standard
NTCサーミスタ	No
動作温度	-40°C ~ 150°C
取付タイプ	Chassis Mount
パッケージ/ケース	D-3 Module
サプライヤデバイスパッケージ	D3
重量	-
原産国	-

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