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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › GSID200A120S3B1
GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1 - Global Power Technologies Group

Artikelnummer
GSID200A120S3B1
Hersteller
Global Power Technologies Group
Kurze Beschreibung
SILICON IGBT MODULES
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
GSID200A120S3B1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
GSID200A120S3B1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
283 pcs
Referenzpreis
USD 93.425/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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GSID200A120S3B1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer GSID200A120S3B1
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau 2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 400A
Leistung max 1595W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D-3 Module
Lieferantengerätepaket D3
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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