GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1 - Global Power Technologies Group

Número de pieza
GSID200A120S3B1
Fabricante
Global Power Technologies Group
Breve descripción
SILICON IGBT MODULES
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
289 pcs
Precio de referencia
USD 93.425/pcs
Nuestro precio
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GSID200A120S3B1 Descripción detallada

Número de pieza GSID200A120S3B1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración 2 Independent
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 400A
Potencia - Max 1595W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
Corriente - corte de colector (máximo) 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 20nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja D-3 Module
Paquete de dispositivo del proveedor D3
Peso -
País de origen -

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