GSID200A120S3B1 - Global Power Technologies Group

номер части	GSID200A120S3B1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	2 Independent
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	400A
Мощность - макс.	1595W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	20nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	D-3 Module
Пакет устройств поставщика	D3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GSID200A120S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности
GSID200A120S5C1	Global Power Technologies Group	IGBT MODULE 1200V 335A	подробности
GSID200A170S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	подробности