GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1 - Global Power Technologies Group

品番
GSID200A170S3B1
メーカー
Global Power Technologies Group
簡単な説明
SILICON IGBT MODULES
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
182 pcs
参考価格
USD 141.4675/pcs
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GSID200A170S3B1 詳細な説明

品番 GSID200A170S3B1
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 2 Independent
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 400A
電力 - 最大 1630W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断(最大) 1mA
入力容量(Cies)@ Vce 26nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース D-3 Module
サプライヤデバイスパッケージ D3
重量 -
原産国 -

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