GSID200A170S3B1 - Global Power Technologies Group

Numéro d'article	GSID200A170S3B1
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	-
Configuration	2 Independent
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	400A
Puissance - Max	1630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	26nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	D-3 Module
Package de périphérique fournisseur	D3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
GSID200A120S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	Détails
GSID200A120S5C1	Global Power Technologies Group	IGBT MODULE 1200V 335A	Détails
GSID200A170S3B1	Global Power Technologies Group	SILICON IGBT MODULES	Détails