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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › 1N8026-GA
1N8026-GA

1N8026-GA - GeneSiC Semiconductor

品番
1N8026-GA
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
1N8026-GA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
1N8026-GA.pdf
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2 pcs
参考価格
USD 196.24/pcs
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1N8026-GA 詳細な説明

品番 1N8026-GA
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 1200V
電流 - 平均整流（Io） 8A (DC)
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.6V @ 2.5A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） 0ns
電流 - 逆リーク（Vr） 10µA @ 1200V
容量Vr、F 237pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-257-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-257
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 250°C
重量 -
原産国 -

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