1N8026-GA - GeneSiC Semiconductor

номер части	1N8026-GA
Статус детали	Active
Тип диода	Silicon Carbide Schottky
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	1200V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	8A (DC)
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.6V @ 2.5A
скорость	No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0ns
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 1200V
Емкость @ Vr, F	237pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-257-3
Пакет устройств поставщика	TO-257
Рабочая температура - Соединение	-55°C ~ 250°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N8024-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257	подробности
1N8026-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257	подробности
1N8028-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257	подробности
1N8030-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257	подробности
1N8031-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276	подробности
1N8032-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257	подробности
1N8033-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276	подробности
1N8034-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257	подробности
1N8035-GA	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276	подробности
1N81	EXSHINE	GOLD BONDED DIODES	подробности