• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › 1N8033-GA
1N8033-GA

1N8033-GA - GeneSiC Semiconductor

品番
1N8033-GA
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
1N8033-GA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
1N8033-GA.pdf
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
131 pcs
参考価格
USD 193.31/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください 1N8033-GA

1N8033-GA 詳細な説明

品番 1N8033-GA
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 650V
電流 - 平均整流（Io） 4.3A (DC)
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.65V @ 5A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） 0ns
電流 - 逆リーク（Vr） 5µA @ 650V
容量Vr、F 274pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-276AA
サプライヤデバイスパッケージ TO-276
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 250°C
重量 -
原産国 -

関連製品 1N8033-GA

画像 品番 メーカー 説明 見る
1N8024-GA 1N8024-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257 詳細
1N8026-GA 1N8026-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 詳細
1N8028-GA 1N8028-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 詳細
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257 詳細
1N8031-GA 1N8031-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 詳細
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257 詳細
1N8033-GA 1N8033-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 詳細
1N8034-GA 1N8034-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257 詳細
1N8035-GA 1N8035-GA GeneSiC Semiconductor DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 詳細
1N81 1N81 EXSHINE GOLD BONDED DIODES 詳細