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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › ダイオード - 整流器 - シングル › 1N8031-GA
1N8031-GA

1N8031-GA - GeneSiC Semiconductor

品番
1N8031-GA
メーカー
GeneSiC Semiconductor
簡単な説明
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
1N8031-GA PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
1N8031-GA.pdf
カテゴリー
ダイオード - 整流器 - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
151 pcs
参考価格
USD 172.134/pcs
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1N8031-GA 詳細な説明

品番 1N8031-GA
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Silicon Carbide Schottky
電圧 - DC逆（Vr）（最大） 650V
電流 - 平均整流（Io） 1A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If 1.5V @ 1A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） 0ns
電流 - 逆リーク（Vr） 5µA @ 650V
容量Vr、F 76pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-276AA
サプライヤデバイスパッケージ TO-276
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 250°C
重量 -
原産国 -

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