1N8031-GA Descrizione dettagliata
Numero di parte |
1N8031-GA |
Stato parte |
Active |
Tipo diodo |
Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) |
650V |
Corrente - Rettificato medio (Io) |
1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If |
1.5V @ 1A |
Velocità |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) |
0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr |
5µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F |
76pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto / caso |
TO-276AA |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-276 |
Temperatura operativa - Giunzione |
-55°C ~ 250°C |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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