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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › 1N8031-GA
1N8031-GA

1N8031-GA - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte
1N8031-GA
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1N8031-GA Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
1N8031-GA.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
156 pcs
Prezzo di riferimento
USD 172.134/pcs
Il nostro prezzo
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1N8031-GA Descrizione dettagliata

Numero di parte 1N8031-GA
Stato parte Active
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente - Rettificato medio (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 650V
Capacità @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-276AA
Pacchetto dispositivo fornitore TO-276
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 250°C
Peso -
Paese d'origine -

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