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DMN10H220LVT-7 - Diodes Incorporated

品番: DMN10H220LVT-7
メーカー: Diodes Incorporated
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DMN10H220LVT-7 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 60000 pcs
参考価格: USD 0.2139/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DMN10H220LVT-7 詳細な説明

品番	DMN10H220LVT-7
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1.87A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	8.3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	401pF @ 25V
Vgs（最大）	±16V
FET機能	-
消費電力（最大）	1.67W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	220 mOhm @ 1.6A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TSOT-26
パッケージ/ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
重量	-
原産国	-

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